1、匹(pi)配電容(rong)(rong)(rong)-----負載(zai)電容(rong)(rong)(rong)是(shi)指晶振要(yao)正常(chang)震蕩所(suo)需要(yao)的(de)電容(rong)(rong)(rong)。一般(ban)外接(jie)電容(rong)(rong)(rong),是(shi)為了使晶振兩(liang)端的(de)等效電容(rong)(rong)(rong)等于(yu)或接(jie)近負載(zai)電容(rong)(rong)(rong)。要(yao)求高的(de)場合(he)還要(yao)考慮ic輸入端的(de)對地電容(rong)(rong)(rong)。一般(ban)晶振兩(liang)端所(suo)接(jie)電容(rong)(rong)(rong)是(shi)所(suo)要(yao)求的(de)負載(zai)電容(rong)(rong)(rong)的(de)兩(liang)倍。這樣并(bing)聯起(qi)來就接(jie)近負載(zai)電容(rong)(rong)(rong)了。
2、負(fu)(fu)載電(dian)容(rong)是指(zhi)在電(dian)路中(zhong)跨接晶體兩(liang)端的總的外界有(you)效電(dian)容(rong)。他(ta)是一個測試條件(jian),也是一個使(shi)用條件(jian)。應(ying)用時一般(ban)在給出負(fu)(fu)載電(dian)容(rong)值(zhi)附近(jin)調(diao)整(zheng)可以得(de)到(dao)精確頻率。此(ci)電(dian)容(rong)的大小(xiao)主(zhu)要影(ying)響負(fu)(fu)載諧振頻率和等效負(fu)(fu)載諧振電(dian)阻。
3、一般情(qing)況(kuang)下,增大負(fu)載(zai)電容(rong)會(hui)使振蕩頻(pin)率(lv)(lv)下降,而(er)減小負(fu)載(zai)電容(rong)會(hui)使振蕩頻(pin)率(lv)(lv)升高。
4、負(fu)載(zai)(zai)電(dian)容(rong)(rong)是指晶振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)的(de)兩條引線連(lian)接IC塊(kuai)內部及外部所有(you)有(you)效電(dian)容(rong)(rong)之和,可看作晶振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)片在(zai)電(dian)路中(zhong)串(chuan)接電(dian)容(rong)(rong)。負(fu)載(zai)(zai)頻(pin)(pin)率(lv)(lv)不(bu)(bu)同(tong)決定振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩器(qi)(qi)的(de)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩頻(pin)(pin)率(lv)(lv)不(bu)(bu)同(tong)。標稱(cheng)頻(pin)(pin)率(lv)(lv)相(xiang)(xiang)同(tong)的(de)晶振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen),負(fu)載(zai)(zai)電(dian)容(rong)(rong)不(bu)(bu)一定相(xiang)(xiang)同(tong)。因為(wei)石英晶體振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩器(qi)(qi)有(you)兩個諧振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)頻(pin)(pin)率(lv)(lv),一個是串(chuan)聯(lian)揩(kai)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)晶振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)的(de)低負(fu)載(zai)(zai)電(dian)容(rong)(rong)晶振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen):另一個為(wei)并(bing)聯(lian)揩(kai)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)晶振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)的(de)高負(fu)載(zai)(zai)電(dian)容(rong)(rong)晶振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)。所以,標稱(cheng)頻(pin)(pin)率(lv)(lv)相(xiang)(xiang)同(tong)的(de)晶振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)互(hu)換(huan)時還(huan)必須要求負(fu)載(zai)(zai)電(dian)容(rong)(rong)一至,不(bu)(bu)能(neng)冒然互(hu)換(huan),否則會造成電(dian)器(qi)(qi)工作不(bu)(bu)正常。
晶振(zhen)旁的電阻(并聯(lian)與串聯(lian))
一(yi)(yi)份(fen)電(dian)路在(zai)其輸(shu)(shu)出端(duan)串接了一(yi)(yi)個(ge)22K的(de)電(dian)阻(zu),在(zai)其輸(shu)(shu)出端(duan)和(he)輸(shu)(shu)入端(duan)之間接了一(yi)(yi)個(ge)10M的(de)電(dian)阻(zu),這是由于連接晶(jing)(jing)振的(de)芯片端(duan)內部是一(yi)(yi)個(ge)線(xian)性運(yun)算放大器,將輸(shu)(shu)入進行反向180度輸(shu)(shu)出,晶(jing)(jing)振處的(de)負載電(dian)容電(dian)阻(zu)組成(cheng)的(de)網(wang)絡提(ti)供另外180度的(de)相移,整(zheng)個(ge)環(huan)路的(de)相移360度,滿足振蕩的(de)相位條件,同時還要求閉環(huan)增益大于等于1,晶(jing)(jing)體才(cai)正常工作。
晶振(zhen)輸(shu)入輸(shu)出(chu)連接的電(dian)(dian)(dian)阻作用是產(chan)生負(fu)反饋,保證放(fang)大器工作在高增益的線(xian)性(xing)區,一般在M歐級,輸(shu)出(chu)端的電(dian)(dian)(dian)阻與負(fu)載電(dian)(dian)(dian)容(rong)組成網絡,提供180度(du)相移,同時起到限流的作用,防止反向器輸(shu)出(chu)對晶振(zhen)過驅動(dong),損壞晶振(zhen)。
和晶(jing)振(zhen)(zhen)串(chuan)聯的電阻常用來(lai)預防(fang)晶(jing)振(zhen)(zhen)被(bei)過分驅動。晶(jing)振(zhen)(zhen)過分驅動的后果是將逐(zhu)漸(jian)損耗(hao)減少晶(jing)振(zhen)(zhen)的接觸電鍍,這將引起頻率的上升,并導(dao)致晶(jing)振(zhen)(zhen)的早期(qi)失效,又可以講drive level調(diao)整用。用來(lai)調(diao)整drive level和發振(zhen)(zhen)余裕度。
Xin和(he)Xout的(de)(de)內部一(yi)(yi)般(ban)是(shi)一(yi)(yi)個(ge)施密特反(fan)相(xiang)器(qi),反(fan)相(xiang)器(qi)是(shi)不(bu)能(neng)驅(qu)動晶(jing)體(ti)震蕩(dang)的(de)(de).因此,在(zai)反(fan)相(xiang)器(qi)的(de)(de)兩端(duan)并(bing)(bing)聯一(yi)(yi)個(ge)電(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu),由電(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)完成(cheng)將輸出(chu)的(de)(de)信號反(fan)向 180度反(fan)饋到輸入(ru)端(duan)形(xing)成(cheng)負反(fan)饋,構成(cheng)負反(fan)饋放大電(dian)(dian)路.晶(jing)體(ti)并(bing)(bing)在(zai)電(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)上,電(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)與晶(jing)體(ti)的(de)(de)等效阻(zu)(zu)(zu)抗是(shi)并(bing)(bing)聯關系,自己(ji)想一(yi)(yi)下是(shi)電(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)大還是(shi)電(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)小對晶(jing)體(ti)的(de)(de)阻(zu)(zu)(zu)抗影響(xiang)小大?
電阻的作用是(shi)將(jiang)電路內部(bu)的反向器(qi)加一個反饋(kui)回(hui)路,形成(cheng)放(fang)大器(qi),當晶體(ti)并在其(qi)中會使反饋(kui)回(hui)路的交流等效按照(zhao)晶體(ti)頻率諧振(zhen),由于晶體(ti)的Q值(zhi)非常高,因此電阻在很(hen)大的范圍變(bian)化(hua)都不會影響輸出(chu)頻率。過去,曾經試驗此電路的穩定性時,試過從100K~20M都可以正(zheng)常啟振(zhen),但(dan)會影響脈寬比的。
晶體(ti)的Q值非常高, Q值是什(shen)么意(yi)思呢(ni)? 晶體(ti)的串聯等效阻抗是 Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶體(ti)一(yi)般(ban)等效于(yu)一(yi)個Q很(hen)高很(hen)高的電(dian)感(gan),相當于(yu)電(dian)感(gan)的導線電(dian)阻很(hen)小很(hen)小。Q一(yi)般(ban)達到10^-4量級。
避免(mian)信號太強打壞晶體的。電阻一(yi)般比較大(da),一(yi)般是幾百(bai)K。
串進去(qu)的(de)(de)(de)電阻是(shi)用(yong)來限制振蕩幅(fu)度(du)(du)的(de)(de)(de),并(bing)進去(qu)的(de)(de)(de)兩(liang)顆電容根據LZ的(de)(de)(de)晶振為幾(ji)十MHZ一(yi)般是(shi)在20~30P左右,主要用(yong)與微調頻率(lv)和波形,并(bing)影(ying)響幅(fu)度(du)(du),并(bing)進去(qu)的(de)(de)(de)電阻就要看 IC spec了,有的(de)(de)(de)是(shi)用(yong)來反饋(kui)的(de)(de)(de),有的(de)(de)(de)是(shi)為過EMI的(de)(de)(de)對策
可是(shi)轉化為 并聯等效(xiao)阻(zu)抗后,Re越小,Rp就越大(da),這(zhe)是(shi)有現成的(de)(de)(de)公式的(de)(de)(de)。晶(jing)體的(de)(de)(de)等效(xiao)Rp很大(da)很大(da)。外面并的(de)(de)(de)電阻(zu)是(shi)并到這(zhe)個Rp上(shang)的(de)(de)(de),于是(shi),降(jiang)低(di)了Rp值 -----> 增大(da)了Re -----> 降(jiang)低(di)了Q
關于晶振
石英晶體(ti)振(zhen)蕩器(qi)是高精度和高穩定度的(de)振(zhen)蕩器(qi),被廣泛應用(yong)(yong)于(yu)彩電、計(ji)算機(ji)、遙控器(qi)等各類振(zhen)蕩電路中,以及通信系(xi)統中用(yong)(yong)于(yu)頻率發(fa)生(sheng)器(qi)、為數據(ju)處(chu)理設備產生(sheng)時鐘信號(hao)和為特(te)定系(xi)統提供基準信號(hao)。
一(yi)、石英(ying)晶(jing)體(ti)振蕩器的(de)基本原(yuan)理
1、石英晶體振(zhen)蕩器的結構
石(shi)英(ying)晶體(ti)(ti)振(zhen)(zhen)蕩器是利用石(shi)英(ying)晶體(ti)(ti)(二氧化硅的(de)結晶體(ti)(ti))的(de)壓電(dian)效應制成的(de)一(yi)(yi)種諧振(zhen)(zhen)器件,它(ta)的(de)基本構成大致是:從(cong)一(yi)(yi)塊石(shi)英(ying)晶體(ti)(ti)上(shang)按(an)一(yi)(yi)定方位角切下薄片(pian)(簡(jian)稱為(wei)晶片(pian),它(ta)可以(yi)是正方形、矩形或(huo)圓形等),在(zai)它(ta)的(de)兩個(ge)對(dui)應面上(shang)涂敷銀層(ceng)作為(wei)電(dian)極(ji),在(zai)每個(ge)電(dian)極(ji)上(shang)各焊一(yi)(yi)根引線接(jie)到(dao)管腳上(shang),再加上(shang)封(feng)裝(zhuang)外殼就構成了石(shi)英(ying)晶體(ti)(ti)諧振(zhen)(zhen)器,簡(jian)稱為(wei)石(shi)英(ying)晶體(ti)(ti)或(huo)晶體(ti)(ti)、晶振(zhen)(zhen)。其(qi)產(chan)品一(yi)(yi)般用金屬外殼封(feng)裝(zhuang),也(ye)有用玻璃殼、陶瓷或(huo)塑料封(feng)裝(zhuang)的(de)。
2、壓電效應
若在(zai)(zai)石英晶(jing)(jing)體的(de)(de)兩(liang)(liang)個電(dian)(dian)極上(shang)加(jia)(jia)一電(dian)(dian)場(chang),晶(jing)(jing)片就會(hui)產生(sheng)(sheng)機(ji)械(xie)變形。反之,若在(zai)(zai)晶(jing)(jing)片的(de)(de)兩(liang)(liang)側施加(jia)(jia)機(ji)械(xie)壓(ya)力,則在(zai)(zai)晶(jing)(jing)片相應(ying)的(de)(de)方向上(shang)將產生(sheng)(sheng)電(dian)(dian)場(chang),這種物(wu)理現(xian)象(xiang)稱(cheng)為(wei)壓(ya)電(dian)(dian)效應(ying)。如果在(zai)(zai)晶(jing)(jing)片的(de)(de)兩(liang)(liang)極上(shang)加(jia)(jia)交(jiao)變電(dian)(dian)壓(ya),晶(jing)(jing)片就會(hui)產生(sheng)(sheng)機(ji)械(xie)振(zhen)動,同時晶(jing)(jing)片的(de)(de)機(ji)械(xie)振(zhen)動又會(hui)產生(sheng)(sheng)交(jiao)變電(dian)(dian)場(chang)。在(zai)(zai)一般情況下(xia),晶(jing)(jing)片機(ji)械(xie)振(zhen)動的(de)(de)振(zhen)幅和交(jiao)變電(dian)(dian)場(chang)的(de)(de)振(zhen)幅非常微小,但當外(wai)加(jia)(jia)交(jiao)變電(dian)(dian)壓(ya)的(de)(de)頻(pin)率(lv)為(wei)某(mou)一特(te)定值(zhi)時,振(zhen)幅明顯(xian)加(jia)(jia)大(da),比(bi)其他頻(pin)率(lv)下(xia)的(de)(de)振(zhen)幅大(da)得多,這種現(xian)象(xiang)稱(cheng)為(wei)壓(ya)電(dian)(dian)諧(xie)振(zhen),它與LC回路的(de)(de)諧(xie)振(zhen)現(xian)象(xiang)十(shi)分相似。它的(de)(de)諧(xie)振(zhen)頻(pin)率(lv)與晶(jing)(jing)片的(de)(de)切(qie)割方式(shi)、幾何形狀、尺寸等有關。
3、符(fu)號和(he)等效電(dian)路
當晶(jing)(jing)(jing)體不(bu)振(zhen)(zhen)動(dong)時(shi),可把它(ta)(ta)看成一個平板電容器稱為靜電電容C,它(ta)(ta)的(de)(de)大小(xiao)與晶(jing)(jing)(jing)片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)幾何(he)(he)尺寸、電極面積有(you)(you)關(guan),一般(ban)(ban)約幾個PF到幾十(shi)PF。當晶(jing)(jing)(jing)體振(zhen)(zhen)蕩(dang)時(shi),機械振(zhen)(zhen)動(dong)的(de)(de)慣性可用(yong)電感L來等(deng)(deng)效(xiao)(xiao)。一般(ban)(ban)L的(de)(de)值為幾十(shi)mH 到幾百mH。晶(jing)(jing)(jing)片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)彈性可用(yong)電容C來等(deng)(deng)效(xiao)(xiao),C的(de)(de)值很小(xiao),一般(ban)(ban)只有(you)(you)0.0002~0.1pF。晶(jing)(jing)(jing)片(pian)(pian)(pian)振(zhen)(zhen)動(dong)時(shi)因摩(mo)擦(ca)而造成的(de)(de)損耗用(yong)R來等(deng)(deng)效(xiao)(xiao),它(ta)(ta)的(de)(de)數(shu)值約為100Ω。由于(yu)晶(jing)(jing)(jing)片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)等(deng)(deng)效(xiao)(xiao)電感很大,而C很小(xiao),R也小(xiao),因此(ci)回(hui)路的(de)(de)品質因數(shu)Q很大,可達1000~10000。加上晶(jing)(jing)(jing)片(pian)(pian)(pian)本身的(de)(de)諧振(zhen)(zhen)頻率基本上只與晶(jing)(jing)(jing)片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)切割(ge)方式、幾何(he)(he)形狀、尺寸有(you)(you)關(guan),而且可以做得精(jing)確,因此(ci)利(li)用(yong)石英諧振(zhen)(zhen)器組成的(de)(de)振(zhen)(zhen)蕩(dang)電路可獲得很高的(de)(de)頻率穩(wen)定度。
4、諧振頻率
從石(shi)英晶體(ti)諧振器(qi)的等效電路可知,它有兩個諧振頻(pin)(pin)率(lv),即(1)當L、C、R支路發生串聯諧振時,它的等效阻抗小(等于R)。串聯揩(kai)(kai)振頻(pin)(pin)率(lv)用fs表(biao)示,石(shi)英晶體(ti)對于串聯揩(kai)(kai)振頻(pin)(pin)率(lv)fs呈純(chun)阻性,(2)當頻(pin)(pin)率(lv)高于fs時L、C、R支路呈感(gan)性,可與電容C。發生并聯諧振,其并聯頻(pin)(pin)率(lv)用fd表(biao)示。
根據(ju)石英晶(jing)體(ti)的等效電(dian)路(lu),可定性畫出(chu)它的電(dian)抗—頻率特性曲線。可見當頻率低于串聯諧振(zhen)頻率fs或者頻率高于并聯揩振(zhen)頻率fd時,石英晶(jing)體(ti)呈容(rong)性。僅在fs
二、石英晶體振蕩器類型特點(dian)
石(shi)英(ying)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)振(zhen)(zhen)蕩器(qi)是由(you)品質因(yin)素極(ji)高的石(shi)英(ying)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)振(zhen)(zhen)子(zi)(即(ji)諧振(zhen)(zhen)器(qi)和振(zhen)(zhen)蕩電(dian)(dian)路(lu)組成。晶(jing)(jing)體(ti)(ti)的品質、切割取(qu)向、晶(jing)(jing)體(ti)(ti)振(zhen)(zhen)子(zi)的結構及電(dian)(dian)路(lu)形式(shi)(shi)(shi)等(deng)(deng),共同決定振(zhen)(zhen)蕩器(qi)的性能(neng)。國(guo)際電(dian)(dian)工委(wei)員會(IEC)將(jiang)石(shi)英(ying)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)振(zhen)(zhen)蕩器(qi)分為4類:普(pu)通晶(jing)(jing)體(ti)(ti)振(zhen)(zhen)蕩(TCXO),電(dian)(dian)壓控制式(shi)(shi)(shi)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)振(zhen)(zhen)蕩器(qi)(VCXO),溫度補(bu)償(chang)式(shi)(shi)(shi)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)振(zhen)(zhen)蕩(TCXO),恒溫控制式(shi)(shi)(shi)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)振(zhen)(zhen)蕩(OCXO)。目前(qian)發展(zhan)中的還有數字補(bu)償(chang)式(shi)(shi)(shi)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)損振(zhen)(zhen)蕩(DCXO)等(deng)(deng)。
普通晶體振蕩器(qi)(qi)(SPXO)可產生(sheng)10^(-5)~10^(-4)量級的頻(pin)率(lv)精度(du),標準頻(pin)率(lv)1—100MHZ,頻(pin)率(lv)穩定度(du)是±100ppm。SPXO沒有采用任何溫(wen)度(du)頻(pin)率(lv)補償措(cuo)施(shi),價格低廉,通常用作微(wei)處(chu)理(li)器(qi)(qi)的時鐘器(qi)(qi)件。封(feng)裝尺(chi)寸范圍從21×14×6mm及5×3.2×1.5mm。
電(dian)壓控(kong)制式晶體振蕩器(qi)(VCXO)的精度是(shi)10^(-6)~10^(-5)量級,頻率范圍1~30MHz。低容差振蕩器(qi)的頻率穩(wen)定(ding)度是(shi)±50ppm。通常用(yong)于鎖相環路。封(feng)裝尺寸14×10×3mm。
溫度(du)補償式晶體(ti)振蕩器(TCXO)采用溫度(du)敏(min)感器件(jian)進行(xing)溫度(du)頻率補償,頻率精度(du)達(da)到10^(-7)~10^(-6)量(liang)級,頻率范圍1—60MHz,頻率穩定度(du)為±1~±2.5ppm,封(feng)裝尺寸從30×30×15mm至11.4×9.6×3.9mm。通常用于手持電話(hua)、蜂窩電話(hua)、雙向無線通信設備等。
恒溫(wen)控制式晶體振(zhen)蕩器(OCXO)將晶體和振(zhen)蕩電路置于恒溫(wen)箱中(zhong),以(yi)消(xiao)除環境溫(wen)度變化對頻(pin)(pin)率(lv)的影響。OCXO頻(pin)(pin)率(lv)精(jing)度是10^(-10)至10^(-8)量級,對某些特殊應用(yong)甚至達(da)到(dao)更高(gao)(gao)。頻(pin)(pin)率(lv)穩定度在四(si)種類型(xing)振(zhen)蕩器中(zhong)高(gao)(gao)。
三、石英晶(jing)體振蕩器的主要參(can)數
晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)的(de)(de)(de)主要(yao)參數(shu)有(you)標(biao)(biao)(biao)(biao)稱(cheng)頻(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv),負載(zai)(zai)(zai)電(dian)(dian)容(rong)(rong)、頻(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)精(jing)度(du)(du)、頻(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)穩定(ding)度(du)(du)等(deng)。不(bu)同(tong)(tong)的(de)(de)(de)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)標(biao)(biao)(biao)(biao)稱(cheng)頻(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)不(bu)同(tong)(tong),標(biao)(biao)(biao)(biao)稱(cheng)頻(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)大都標(biao)(biao)(biao)(biao)明在晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)外殼上。如(ru)常用普通(tong)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)標(biao)(biao)(biao)(biao)稱(cheng)頻(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)有(you):48kHz、500 kHz、503.5 kHz、1MHz~40.50 MHz等(deng),對于(yu)特殊(shu)要(yao)求(qiu)的(de)(de)(de)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)頻(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)可達到(dao)1000 MHz以上,也有(you)的(de)(de)(de)沒有(you)標(biao)(biao)(biao)(biao)稱(cheng)頻(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv),如(ru)CRB、ZTB、Ja等(deng)系列。負載(zai)(zai)(zai)電(dian)(dian)容(rong)(rong)是指晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)的(de)(de)(de)兩條引線(xian)連接(jie)IC塊內部及外部所(suo)有(you)有(you)效電(dian)(dian)容(rong)(rong)之和(he),可看(kan)作晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)片在電(dian)(dian)路中串接(jie)電(dian)(dian)容(rong)(rong)。負載(zai)(zai)(zai)頻(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)不(bu)同(tong)(tong)決定(ding)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩器(qi)(qi)的(de)(de)(de)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩頻(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)不(bu)同(tong)(tong)。標(biao)(biao)(biao)(biao)稱(cheng)頻(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)相同(tong)(tong)的(de)(de)(de)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen),負載(zai)(zai)(zai)電(dian)(dian)容(rong)(rong)不(bu)一(yi)定(ding)相同(tong)(tong)。因(yin)(yin)為(wei)石(shi)英晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩器(qi)(qi)有(you)兩個諧振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)頻(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv),一(yi)個是串聯(lian)揩(kai)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)的(de)(de)(de)低負載(zai)(zai)(zai)電(dian)(dian)容(rong)(rong)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen):另(ling)一(yi)個為(wei)并聯(lian)揩(kai)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)的(de)(de)(de)高負載(zai)(zai)(zai)電(dian)(dian)容(rong)(rong)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)。所(suo)以,標(biao)(biao)(biao)(biao)稱(cheng)頻(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)相同(tong)(tong)的(de)(de)(de)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)互換(huan)時還必(bi)須要(yao)求(qiu)負載(zai)(zai)(zai)電(dian)(dian)容(rong)(rong)一(yi)至,不(bu)能(neng)冒然互換(huan),否則會造成電(dian)(dian)器(qi)(qi)工(gong)作不(bu)正常。頻(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)精(jing)度(du)(du)和(he)頻(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)穩定(ding)度(du)(du):由于(yu)普通(tong)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)的(de)(de)(de)性(xing)能(neng)基本都能(neng)達到(dao)一(yi)般(ban)電(dian)(dian)器(qi)(qi)的(de)(de)(de)要(yao)求(qiu),對于(yu)高檔(dang)設備還需(xu)要(yao)有(you)一(yi)定(ding)的(de)(de)(de)頻(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)精(jing)度(du)(du)和(he)頻(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)穩定(ding)度(du)(du)。頻(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)精(jing)度(du)(du)從10^(-4)量級到(dao)10^(-10)量級不(bu)等(deng)。穩定(ding)度(du)(du)從±1到(dao)±100ppm不(bu)等(deng)。這要(yao)根(gen)據具(ju)體(ti)(ti)的(de)(de)(de)設備需(xu)要(yao)而(er)選(xuan)擇(ze)(ze)合(he)適的(de)(de)(de)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen),如(ru)通(tong)信網絡(luo),無線(xian)數(shu)據傳輸等(deng)系統就(jiu)需(xu)要(yao)更高要(yao)求(qiu)的(de)(de)(de)石(shi)英晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩器(qi)(qi)。因(yin)(yin)此,晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)的(de)(de)(de)參數(shu)決定(ding)了晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)的(de)(de)(de)品質和(he)性(xing)能(neng)。在實際(ji)應用中要(yao)根(gen)據具(ju)體(ti)(ti)要(yao)求(qiu)選(xuan)擇(ze)(ze)適當的(de)(de)(de)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen),因(yin)(yin)不(bu)同(tong)(tong)性(xing)能(neng)的(de)(de)(de)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)其價格不(bu)同(tong)(tong),要(yao)求(qiu)越高價格也越貴,一(yi)般(ban)選(xuan)擇(ze)(ze)只要(yao)滿足要(yao)求(qiu)即可。
四、石英晶體振蕩器的發展趨勢
1、小(xiao)型化、薄(bo)片化和片式化:為(wei)滿足(zu)移動電話為(wei)代(dai)表的(de)(de)(de)便攜(xie)式產品輕、薄(bo)、短小(xiao)的(de)(de)(de)要求,石英晶(jing)體(ti)振蕩器的(de)(de)(de)封裝(zhuang)由(you)傳統的(de)(de)(de)裸金屬外殼覆塑料金屬向(xiang)陶瓷封裝(zhuang)轉變。例如(ru)TCXO這類器件(jian)的(de)(de)(de)體(ti)積縮小(xiao)了(le)30~100倍。采(cai)用(yong)SMD封裝(zhuang)的(de)(de)(de)TCXO厚度不足(zu)2mm,目前5×3mm尺寸(cun)的(de)(de)(de)器件(jian)已經上市(shi)。
2、高精度(du)與高穩(wen)定(ding)度(du),目(mu)前無補償式晶體振(zhen)蕩器總精度(du)也能(neng)達(da)到(dao)±25ppm,VCXO的(de)頻(pin)率穩(wen)定(ding)度(du)在10~7℃范圍內(nei)一(yi)般可達(da)±20~100ppm,而OCXO在同一(yi)溫度(du)范圍內(nei)頻(pin)率穩(wen)定(ding)度(du)一(yi)般為±0.0001~5ppm,VCXO控制在±25ppm以下。
3、低噪(zao)聲(sheng),高頻(pin)(pin)(pin)化,在GPS通信系統中是不(bu)允許頻(pin)(pin)(pin)率(lv)顫(zhan)抖(dou)(dou)的(de),相位噪(zao)聲(sheng)是表(biao)征振蕩(dang)器(qi)頻(pin)(pin)(pin)率(lv)顫(zhan)抖(dou)(dou)的(de)一(yi)個重要參數。目前(qian)OCXO主流產品的(de)相位噪(zao)聲(sheng)性能有(you)很大改(gai)善。除VCXO外(wai),其它類型的(de)晶體振蕩(dang)器(qi)高輸出(chu)頻(pin)(pin)(pin)率(lv)不(bu)超過200MHz。例如用于GSM等移動電(dian)話的(de)UCV4系列壓控振蕩(dang)器(qi),其頻(pin)(pin)(pin)率(lv)為650~1700 MHz,電(dian)源電(dian)壓2.2~3.3V,工作電(dian)流8~10mA。
4、低功能,快速啟動,低電壓工作,低電平驅(qu)動和(he)低電流消(xiao)耗已(yi)成為一(yi)(yi)個趨勢。電源電壓一(yi)(yi)般為3.3V。目(mu)前許(xu)多TCXO和(he)VCXO產(chan)(chan)品(pin),電流損耗不超(chao)過2 mA。石英晶體振蕩器的(de)快速啟動技術也取得突破性(xing)進(jin)展。例如(ru)日本精工生產(chan)(chan)的(de)VG—2320SC型(xing)VCXO,在(zai)±0.1ppm規(gui)定(ding)(ding)值(zhi)(zhi)范圍(wei)條件下,頻率穩(wen)定(ding)(ding)時間小于(yu)4ms。日本東(dong)京陶瓷公(gong)司(si)生產(chan)(chan)的(de)SMD TCXO,在(zai)振蕩啟動4ms后則可(ke)達到(dao)額定(ding)(ding)值(zhi)(zhi)的(de)90%。OAK公(gong)司(si)的(de)10~25 MHz的(de)OCXO產(chan)(chan)品(pin),在(zai)預熱5分鐘后,則能達到(dao)±0.01 ppm的(de)穩(wen)定(ding)(ding)度(du)。
五、石英晶體振蕩器的(de)應(ying)用(yong)
1、石(shi)(shi)英(ying)(ying)鐘走(zou)(zou)時(shi)(shi)準、耗電(dian)(dian)(dian)(dian)省、經久耐(nai)用為(wei)其(qi)大優點。不論是(shi)(shi)老式(shi)(shi)石(shi)(shi)英(ying)(ying)鐘或(huo)是(shi)(shi)新(xin)式(shi)(shi)多(duo)功(gong)能石(shi)(shi)英(ying)(ying)鐘都(dou)是(shi)(shi)以石(shi)(shi)英(ying)(ying)晶體振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)器(qi)為(wei)核心電(dian)(dian)(dian)(dian)路,其(qi)頻率(lv)精(jing)(jing)度決定(ding)了電(dian)(dian)(dian)(dian)子鐘表(biao)的(de)(de)(de)(de)(de)走(zou)(zou)時(shi)(shi)精(jing)(jing)度。從石(shi)(shi)英(ying)(ying)晶體振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)器(qi)原理的(de)(de)(de)(de)(de)示(shi)(shi)意圖中(zhong),其(qi)中(zhong)V1和V2構成(cheng)CMOS反相器(qi)石(shi)(shi)英(ying)(ying)晶體Q與振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)C1及微調電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)C2構成(cheng)振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)系統(tong)(tong),這(zhe)里(li)石(shi)(shi)英(ying)(ying)晶體相當于電(dian)(dian)(dian)(dian)感。振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)系統(tong)(tong)的(de)(de)(de)(de)(de)元件參數(shu)確定(ding)了振(zhen)(zhen)(zhen)頻率(lv)。一般Q、C1及C2均為(wei)外接(jie)(jie)元件。另外R1為(wei)反饋電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu),R2為(wei)振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)的(de)(de)(de)(de)(de)穩定(ding)電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu),它們都(dou)集(ji)成(cheng)在電(dian)(dian)(dian)(dian)路內(nei)部。故(gu)無法通過改(gai)變(bian)(bian)C1或(huo)C2的(de)(de)(de)(de)(de)數(shu)值來調整(zheng)(zheng)走(zou)(zou)時(shi)(shi)精(jing)(jing)度。但此時(shi)(shi)我們仍可(ke)(ke)用加(jia)接(jie)(jie)一只(zhi)電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)C有(you)方(fang)法,來改(gai)變(bian)(bian)振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)系統(tong)(tong)參數(shu),以調整(zheng)(zheng)走(zou)(zou)時(shi)(shi)精(jing)(jing)度。根據電(dian)(dian)(dian)(dian)子鐘表(biao)走(zou)(zou)時(shi)(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)快(kuai)慢,調整(zheng)(zheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)有(you)兩種接(jie)(jie)法:若走(zou)(zou)時(shi)(shi)偏快(kuai),則可(ke)(ke)在石(shi)(shi)英(ying)(ying)晶體兩端并接(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)C,如圖4所示(shi)(shi)。此時(shi)(shi)系統(tong)(tong)總電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)加(jia)大,振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)頻率(lv)變(bian)(bian)低,走(zou)(zou)時(shi)(shi)減慢。若走(zou)(zou)時(shi)(shi)偏慢,則可(ke)(ke)在晶體支路中(zhong)串接(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)C。如圖5所示(shi)(shi)。此時(shi)(shi)系統(tong)(tong)的(de)(de)(de)(de)(de)總電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)減小,振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)頻率(lv)變(bian)(bian)高(gao),走(zou)(zou)時(shi)(shi)增(zeng)快(kuai)。只(zhi)要(yao)經過耐(nai)心的(de)(de)(de)(de)(de)反復(fu)試驗,就可(ke)(ke)以調整(zheng)(zheng)走(zou)(zou)時(shi)(shi)精(jing)(jing)度。因此,晶振(zhen)(zhen)(zhen)可(ke)(ke)用于時(shi)(shi)鐘信號發生器(qi)。
2、隨著電(dian)(dian)視技術的發展,近來彩電(dian)(dian)多采(cai)用500kHz或503 kHz的晶(jing)體振蕩器作為行、場電(dian)(dian)路的振蕩源,經1/3的分頻得到 15625Hz的行頻,其(qi)穩(wen)定性和可靠性大(da)為提高。面且晶(jing)振價格便宜,更換容易。
3、在通信系統產品中(zhong),石英晶(jing)體振蕩器的價值(zhi)得到了更(geng)廣泛的體現(xian),同時(shi)也得到了更(geng)快的發(fa)展。許多高性(xing)能(neng)的石英晶(jing)振主要(yao)應用于通信網絡、無線(xian)數據傳輸、高速數字數據傳輸等。
晶振的負(fu)載電(dian)容
晶(jing)體(ti)元件的(de)負載電容(rong)(rong)(rong)是指在(zai)電路中(zhong)跨接(jie)晶(jing)體(ti)兩端的(de)總的(de)外界有效(xiao)電容(rong)(rong)(rong)。是指晶(jing)振(zhen)要(yao)(yao)正常震(zhen)蕩所需(xu)要(yao)(yao)的(de)電容(rong)(rong)(rong)。一般(ban)(ban)外接(jie)電容(rong)(rong)(rong),是為了使晶(jing)振(zhen)兩端的(de)等(deng)(deng)效(xiao)電容(rong)(rong)(rong)等(deng)(deng)于或接(jie)近負載電容(rong)(rong)(rong)。要(yao)(yao)求(qiu)高的(de)場合還要(yao)(yao)考慮ic輸(shu)入端的(de)對地電容(rong)(rong)(rong)。應用時(shi)一般(ban)(ban)在(zai)給出負載電容(rong)(rong)(rong)值附近調整可以得(de)到精確頻率(lv)。此電容(rong)(rong)(rong)的(de)大小主要(yao)(yao)影響負載諧振(zhen)頻率(lv)和等(deng)(deng)效(xiao)負載諧振(zhen)電阻。
晶振的(de)負載電(dian)(dian)容(rong)(rong)=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C式中Cd,Cg為分別接(jie)在晶振的(de)兩個腳上(shang)(shang)和對地的(de)電(dian)(dian)容(rong)(rong),Cic(集成電(dian)(dian)路(lu)內部電(dian)(dian)容(rong)(rong))+△C(PCB上(shang)(shang)電(dian)(dian)容(rong)(rong)).就(jiu)是說負載電(dian)(dian)容(rong)(rong)15pf的(de)話,兩邊個接(jie)27pf的(de)差不多了,一般a為6.5~13.5pF
各(ge)種邏輯(ji)芯(xin)片(pian)的(de)(de)(de)(de)晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)引腳可以(yi)等(deng)(deng)效(xiao)為(wei)電(dian)(dian)(dian)容三(san)點(dian)(dian)式(shi)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)器(qi)(qi)(qi)。晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)引腳的(de)(de)(de)(de)內(nei)部通(tong)常(chang)是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)一(yi)(yi)個(ge)反(fan)相(xiang)器(qi)(qi)(qi), 或者是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)奇數(shu)個(ge)反(fan)相(xiang)器(qi)(qi)(qi)串聯(lian)。在晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)輸(shu)(shu)出(chu)(chu)引腳 XO 和(he)(he)(he)(he)晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)輸(shu)(shu)入(ru)引腳 XI 之間用一(yi)(yi)個(ge)電(dian)(dian)(dian)阻連接, 對于 CMOS 芯(xin)片(pian)通(tong)常(chang)是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)數(shu) M 到數(shu)十(shi) M 歐之間。很(hen)多芯(xin)片(pian)的(de)(de)(de)(de)引腳內(nei)部已經包含了這個(ge)電(dian)(dian)(dian)阻, 引腳外部就(jiu)(jiu)不(bu)用接了。這個(ge)電(dian)(dian)(dian)阻是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)為(wei)了使反(fan)相(xiang)器(qi)(qi)(qi)在振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)初始時處與線性狀態, 反(fan)相(xiang)器(qi)(qi)(qi)就(jiu)(jiu)如同一(yi)(yi)個(ge)有很(hen)大(da)增(zeng)(zeng)益的(de)(de)(de)(de)放大(da)器(qi)(qi)(qi), 以(yi)便于起(qi)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)。石英(ying)(ying)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)也連接在晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)引腳的(de)(de)(de)(de)輸(shu)(shu)入(ru)和(he)(he)(he)(he)輸(shu)(shu)出(chu)(chu)之間, 等(deng)(deng)效(xiao)為(wei)一(yi)(yi)個(ge)并聯(lian)諧振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)回路(lu)(lu), 振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)頻(pin)率(lv)(lv)應該是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)石英(ying)(ying)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)并聯(lian)諧振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)頻(pin)率(lv)(lv)。晶(jing)(jing)體(ti)(ti)旁(pang)邊的(de)(de)(de)(de)兩(liang)個(ge)電(dian)(dian)(dian)容接地, 實(shi)際上就(jiu)(jiu)是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)電(dian)(dian)(dian)容三(san)點(dian)(dian)式(shi)電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)的(de)(de)(de)(de)分壓(ya)(ya)電(dian)(dian)(dian)容, 接地點(dian)(dian)就(jiu)(jiu)是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)分壓(ya)(ya)點(dian)(dian)。以(yi)接地點(dian)(dian)即(ji)分壓(ya)(ya)點(dian)(dian)為(wei)參考點(dian)(dian), 振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)引腳的(de)(de)(de)(de)輸(shu)(shu)入(ru)和(he)(he)(he)(he)輸(shu)(shu)出(chu)(chu)是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)反(fan)相(xiang)的(de)(de)(de)(de), 但從并聯(lian)諧振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)回路(lu)(lu)即(ji)石英(ying)(ying)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)兩(liang)端來看(kan), 形(xing)成一(yi)(yi)個(ge)正反(fan)饋以(yi)保證電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)持續振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)。在芯(xin)片(pian)設計時, 這兩(liang)個(ge)電(dian)(dian)(dian)容就(jiu)(jiu)已經形(xing)成了, 一(yi)(yi)般(ban)是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)兩(liang)個(ge)的(de)(de)(de)(de)容量(liang)(liang)(liang)相(xiang)等(deng)(deng), 容量(liang)(liang)(liang)大(da)小依(yi)工藝(yi)和(he)(he)(he)(he)版圖而(er)不(bu)同, 但終(zhong)歸是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)比較小, 不(bu)一(yi)(yi)定(ding)適(shi)合很(hen)寬的(de)(de)(de)(de)頻(pin)率(lv)(lv)范圍。外接時大(da)約是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)數(shu) PF 到數(shu)十(shi) PF, 依(yi)頻(pin)率(lv)(lv)和(he)(he)(he)(he)石英(ying)(ying)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)特性而(er)定(ding)。需(xu)要(yao)注意的(de)(de)(de)(de)是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi):這兩(liang)個(ge)電(dian)(dian)(dian)容串聯(lian)的(de)(de)(de)(de)值是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)并聯(lian)在諧振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)回路(lu)(lu)上的(de)(de)(de)(de), 會影(ying)響振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)頻(pin)率(lv)(lv)。當兩(liang)個(ge)電(dian)(dian)(dian)容量(liang)(liang)(liang)相(xiang)等(deng)(deng)時, 反(fan)饋系數(shu)是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi) 0.5, 一(yi)(yi)般(ban)是(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)可以(yi)滿足(zu)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)條件的(de)(de)(de)(de), 但如果不(bu)易起(qi)振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)或振(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)不(bu)穩(wen)定(ding)可以(yi)減(jian)小輸(shu)(shu)入(ru)端對地電(dian)(dian)(dian)容量(liang)(liang)(liang), 而(er)增(zeng)(zeng)加輸(shu)(shu)出(chu)(chu)端的(de)(de)(de)(de)值以(yi)提(ti)高反(fan)饋量(liang)(liang)(liang)。
設計考(kao)慮事項:
1、使晶(jing)振(zhen)、外部電容器(如果有)與 IC之間的(de)信號線盡可能保持短。當非常(chang)低的(de)電流通過IC晶(jing)振(zhen)振(zhen)蕩器時,如果線路太長,會使它對(dui) EMC、ESD 與串擾產生(sheng)非常(chang)敏感的(de)影響(xiang)。而且長線路還會給振(zhen)蕩器增加寄生(sheng)電容。
2、盡可能將其它時鐘線路與頻繁切換的信(xin)號線路布置在遠離晶振連(lian)接(jie)的位(wei)置。
3、當(dang)心晶振和地(di)的走(zou)線
4、將晶(jing)振外殼接地
如果實際的(de)負載電容(rong)配置不(bu)當,會引起線路(lu)(lu)參考頻(pin)(pin)率的(de)誤差(cha)。另外如在發射(she)接收(shou)電路(lu)(lu)上會使晶振的(de)振蕩幅度下降(不(bu)在峰(feng)點),影響混頻(pin)(pin)信(xin)號(hao)的(de)信(xin)號(hao)強度與信(xin)噪。
當(dang)波形出現削峰,畸變時(shi),可增加(jia)負載電阻調整(幾十(shi)K到幾百K).要穩定波形是并聯(lian)一個1M左(zuo)右的反饋電阻。