一份電(dian)路(lu)在其(qi)輸(shu)出端(duan)串接(jie)了一個(ge)(ge)22K的(de)電(dian)阻,在其(qi)輸(shu)出端(duan)和輸(shu)入端(duan)之間接(jie)了一個(ge)(ge)10M的(de)電(dian)阻,這是由(you)于連接(jie)晶振的(de)芯片端(duan)內部是一個(ge)(ge)線性(xing)運算放大器(qi),將輸(shu)入進行反(fan)向180度輸(shu)出,晶振處的(de)負載電(dian)容電(dian)阻組成(cheng)的(de)網絡提供另外180度的(de)相移(yi),整個(ge)(ge)環(huan)路(lu)的(de)相移(yi)360度,滿足振蕩的(de)相位條件,同時還要求閉環(huan)增益大于等于1,晶體才正常工作(zuo)。
晶振(zhen)輸入(ru)輸出連接的電阻(zu)作用(yong)是(shi)產生負反饋,保證放大器工作在高增益的線性區(qu),一般在M歐級(ji),輸出端的電阻(zu)與負載電容組成網絡,提供180度相移,同時(shi)起到(dao)限流的作用(yong),防止反向器輸出對晶振(zhen)過驅動,損壞(huai)晶振(zhen)。
和(he)晶振(zhen)(zhen)串聯(lian)的電阻常用來(lai)預(yu)防晶振(zhen)(zhen)被(bei)過分驅動。晶振(zhen)(zhen)過分驅動的后果是將逐漸損耗減少晶振(zhen)(zhen)的接觸(chu)電鍍,這將引(yin)起頻率的上升,并導(dao)致晶振(zhen)(zhen)的早期失(shi)效,又可以講drive level調整用。用來(lai)調整drive level和(he)發(fa)振(zhen)(zhen)余(yu)裕度。
Xin和Xout的內部一般是(shi)一個(ge)(ge)施密(mi)特(te)反相器,反相器是(shi)不能驅動晶(jing)(jing)體(ti)震(zhen)蕩的.因(yin)此,在(zai)反相器的兩端并(bing)(bing)聯一個(ge)(ge)電(dian)(dian)阻,由電(dian)(dian)阻完(wan)成(cheng)(cheng)將輸出(chu)的信號(hao)反向 180度反饋(kui)到(dao)輸入端形(xing)成(cheng)(cheng)負反饋(kui),構成(cheng)(cheng)負反饋(kui)放(fang)大(da)電(dian)(dian)路.晶(jing)(jing)體(ti)并(bing)(bing)在(zai)電(dian)(dian)阻上,電(dian)(dian)阻與晶(jing)(jing)體(ti)的等效(xiao)阻抗是(shi)并(bing)(bing)聯關系,自己想一下是(shi)電(dian)(dian)阻大(da)還是(shi)電(dian)(dian)阻小(xiao)對晶(jing)(jing)體(ti)的阻抗影響(xiang)小(xiao)大(da)?
電(dian)阻的(de)(de)作(zuo)用是將電(dian)路內部的(de)(de)反(fan)向(xiang)器加(jia)一(yi)個反(fan)饋回路,形成(cheng)放大器,當晶(jing)(jing)體并(bing)在(zai)(zai)其中會使(shi)反(fan)饋回路的(de)(de)交(jiao)流等(deng)效按照晶(jing)(jing)體頻率諧振,由于晶(jing)(jing)體的(de)(de)Q值(zhi)非常高,因此電(dian)阻在(zai)(zai)很大的(de)(de)范(fan)圍變化都(dou)不(bu)會影(ying)響輸出頻率。過去,曾經試驗此電(dian)路的(de)(de)穩定性(xing)時,試過從100K~20M都(dou)可以正常啟振,但會影(ying)響脈寬比(bi)的(de)(de)。
晶(jing)體(ti)的Q值(zhi)(zhi)非常高, Q值(zhi)(zhi)是什么(me)意(yi)思呢? 晶(jing)體(ti)的串聯等效(xiao)阻抗(kang)是 Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶(jing)體(ti)一般等效(xiao)于(yu)一個(ge)Q很高很高的電(dian)感,相當(dang)于(yu)電(dian)感的導線電(dian)阻很小(xiao)很小(xiao)。Q一般達到10^-4量(liang)級。
避免信號太強打壞晶體的。電阻一般比(bi)較大,一般是幾百K。
串(chuan)進去(qu)(qu)的(de)(de)(de)電阻是用來(lai)限制振蕩幅(fu)(fu)度的(de)(de)(de),并(bing)(bing)進去(qu)(qu)的(de)(de)(de)兩顆(ke)電容根據LZ的(de)(de)(de)晶振為幾十(shi)MHZ一般(ban)是在(zai)20~30P左(zuo)右,主要用與微調頻(pin)率和波(bo)形,并(bing)(bing)影響幅(fu)(fu)度,并(bing)(bing)進去(qu)(qu)的(de)(de)(de)電阻就要看 IC spec了,有的(de)(de)(de)是用來(lai)反(fan)饋的(de)(de)(de),有的(de)(de)(de)是為過(guo)EMI的(de)(de)(de)對策
可是(shi)轉化為 并(bing)(bing)聯等效阻抗后,Re越小(xiao),Rp就越大,這是(shi)有現成的(de)公式(shi)的(de)。晶體的(de)等效Rp很(hen)大很(hen)大。外面并(bing)(bing)的(de)電阻是(shi)并(bing)(bing)到這個(ge)Rp上(shang)的(de),于是(shi),降低(di)了Rp值 -----> 增大了Re -----> 降低(di)了Q